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新型室温表面光电压气体传感器装置(二氧化氮气体为测量试验气体)(3)

文章出处:如特安防 人气:发表时间:2018-09-15 13:55:22

 

3.结果和讨论

    像上面提到的那样,在我们的SPV气体传感器系统中,沉积在Si (100)基板上的多孔的ZnO纳米结构薄膜,用作气体敏感材料。对于这薄膜敏感材料,主体化学和形态学已通过选择试验技巧[29] 表征,正如下面简要总结的。
    使用卢瑟福背散射光谱学(RBS),得到的ZnO层已化学计量的氧锌原子比率接近1。接着,使用扫描电镜(SEM),从横断面影像可观察到,得到的ZnO层展现出纳米舌形态,如[29]所示。多晶特性也通过X-射线衍射(XRD)确认,显示出粉末衍射图谱,也在[29]中描述。然而,自从我们利用SnO2纳米结构做试验,我们知道另外显示出显著的表面非化学计量比,被不想要的强表面碳和水蒸气污染物更改。附加的局部表面化学XPS研究,我们的多孔ZnO结构薄膜已另外进行。这些信息是不可缺少的,当尝试理解气体传感机制时,因为传感器效果出现仅在气体敏感材料表面,在与德拜长度相关的深度[12,13],这跟XPS方法的信息深度很相似。得到的XPS结果简短地描述跟解释如下。

3.1多孔ZnO结构薄膜的局部表面化学

    最初地,已记录多孔ZnO纳米结构薄膜的一个XPS测量谱(多孔ZnO结构薄用在我们的SPV气体传感器装置),如图2所示,在两个不同的结合能范围内。
图2. 用在SPV气体传感器的ZnO纳米结构薄膜XPS测量谱(全程和限于600 eV BE范围)
图2. 用在SPV气体传感器的ZnO纳米结构薄膜XPS测量谱(全程和限于600 eV BE范围)。(编译:报歉,原图就是这么大!)
 
    左边,全程XPS测量谱,1200 eV结合能范围。它确认除了Auger电子线(通常可以跳过)以外,可观察到来自基本元素ZnO的影响,ZnO基本元素衍生自值得重视的XPS核心层Zn2p、O1s、 Zn3s、Zn3p和Zn3d线。而且,在我们的研究中起关键性的,在BE ~286.0 eV观察到明显的意想不到的C1s XPS线的影响,确认强的C污染物存在于SPV气体传感器的多孔ZnO纳米结构薄膜上。
    普通地,基于Zn2p、O1s和 C1s 核心层线相关的强度(高度),和已知分析性公式[33,34,35],和与Zn2p、O1s和 C1s峰值高度相关的各自的原子灵敏度因子,可以计算出所选元素相应的浓度。然而,因为意想不到的高背景,存于我们观察的XPS全程1200 eV结合能范围的测量光谱中,附带无用的Auger电子发射线,多孔ZnO纳米结构薄膜表面上主要元素相关的浓度已估算出,是在限定的600 eV结合能范围的测量光谱的基础上估算的(见图2右边)。
    我们的计算结果证明,我们的多孔ZnO纳米结构薄膜与表面化学计量相差甚远。相关的[O]/[Zn] 和 [C]/[Zn]浓度比分别达到0.63 和 0.31。这意谓着,与通过RBS方法得到的结果(氧锌原子比近于1)明显相反。这可能与两种方法不同信息深度相关,因为RBS方法处在几百纳米的层次上,而XPS仅与表面区域深度相对应,处在~3 nm层次上[33,34,35]。
    不同信息深度,是可能的一个原因,在我们对多孔ZnO纳米结构薄膜(相关的[C]/[Zn] 浓度比~0.31)的研究中通过XPS观察到明显的C污物,这通过使用RBS方法是不可能观察到的。这是为什么下一步分析,我们集中在多孔ZnO纳米结构薄膜的局部表面化学,特别强调在特别的表面结合。我们的分析基于O1s和C1s光谱线反褶积过程,使用Casa XPS SPECS软件。得到的结果描述如下。
 
图3. 呈现 多孔ZnO纳米结构薄膜的XPS O1s 和 C1s 线:反褶积后,使用Gauss拟合(分别在左和右)
图3. 呈现 多孔ZnO纳米结构薄膜的XPS O1s 和 C1s 线:反褶积后,使用Gauss拟合(分别在左和右)。
 
    清楚地明显的, 多孔ZnO纳米结构薄膜的XPS O1s 线明显不对称。在经高斯反褶积(很高的线拟合[RMS ~0.998])后,它包含两个明显的线成分。第一个位于合成能~531.2 eV处,可归于多孔ZnO纳米结构薄膜的ZnO 点阵中O2-离子。接着,第二个位于合成能~532.9 eV处,可归于多孔ZnO纳米结构薄膜表面的羟基(OH− groups)中氧原子。类似的,上面两种情况XPS O1s 线成分最近观察到,其中之一,在Gazia et[36],由溅射纳米结构锌膜沉积成的海绵样的纳米结构ZnO薄膜。另外,在反褶积后的XPS O1s 线的基础上,相对于表面羟基(OH− groups)而言,特定组分的O2- 离子相关面积,被检测到等于1.85。直接意谓着,甚至在表面,有一个与ZnO晶格相关O2-离子控制域。
    相应地,多孔ZnO纳米结构薄膜的XPS O1s 线实际上是对称的。在经高斯反褶积(很高的线拟合[RMS ~0.98])后,它含仅有一个线组分,在合成能 ~ 286 eV处,已观察到,什么能归于 C–OH表面键合,普通地观察到在各种金属氧化物表面,什么是在NIST X-ray光电子能谱数据库[37]易得到的。
    考虑上面所谈的,最关键的是,应强调的是,已确认:在我们试验中,在有几纳米范围[29]的纳米晶体、截面柱状结构的多孔ZnO纳米结构薄膜表面,存在不想要的水蒸气连同碳污染物。这个,不能忽视,当分析它们的传感特性时。这是关键的,因为这信息,可能非常不期望,通常在已有的文献中被忽视,将在下一节中另外谈论,下一节中分析新型气体传感器系统(装置)的气敏特性。





原著:M.Kwoka,OrcID, Michal A. Borysiewicz, P. Tomkiewicz, A. Piotrowska,J. Szuber  2018.6.29
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    本文标签字:气体敏感材料,二氧化氮气    室温气体传感器    表面光电压效应    多气孔的ZnO纳米结构薄   

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